这个就有必要介绍一下目前芯片互连最高普遍的工艺--双大马士革工艺 （Dual Damascene Process）。为什么这个工艺叫大马士革？为什么要用到这个工艺？用什么机台实现该工艺？
2 大马士革工艺. 当芯片特征尺寸（线宽）达到25 μm以下时,会产生Cu线路间寄生效应,阻容（ RC ）耦合增大,信号传输延迟、串扰噪声增强、功耗增大、发热增加,器件频率受到
随着CMOS晶体管尺寸不断缩小到次微米级,正如摩尔定律的预测,在高效率,高密度集成电路中的晶体管数量上升到几千万个.这些数量庞大的有源元件的信号集成需要多达八层的高密度金属连
1. 对于当前 10~90 纳米 Cu/Low-K 双大马士革工艺,普遍的 Low-K 材料有哪些？如何制作？ 答：不好意思,我这造诣也不深,有点没明白问题的意思！ 2. IMD 和 ILD 分别代表什么意思？
该解决方案主要用于一些采用太阳能电池板并使用一个芯片 tps61094 来实现充放电功能的低功耗系统。没有外 没有外 部模拟 MPPT 电路就很简单,我们想为新一代太阳能产品设计一个带有
大马士革工艺优势：大马士革工艺允许在半导体芯片上精确确地嵌入铜线。这种工艺是通过在绝缘层中刻蚀出线条或通孔,再填充铜,最高后进行平坦化处理。这种方法使得铜互连具有更好的结构
简单来说,大马士革工艺就是先填充一层电介质,然后干法蚀刻出金属导线图案,最高后填充金属,其最高大优点就是不用蚀刻金属。 镶嵌 ( damascene )一词,衍生自古代的 Damascus （大马
大马士革工艺支持多层互连结构,通过在同一芯片内实现多层铜互连,可以显著提高芯片的功能密度和性能。 大马士革工艺的关键步骤之一是化学机械抛光（CMP）技术。
国民薄膜太阳能科技（淄博）有限公司,主要生产铜铟镓硒薄膜太阳能电池及应用产品,是全方位球铜铟镓硒柔性和玻璃基两种技术路线并存项目中技术最高先进的技术、规模最高大、领先实现量产的薄膜太
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