本文以SLC单层电容应用背景为前提,以介质陶瓷研究为衬底,采用半导体制造工艺技术探索陶瓷基SLC的制备工艺.首先利用专业软件L-EDIT进行设计掩模版图形,完成SLC单层电容所需掩模版加工制作;然后充分探索SLC制备环节中光刻工艺关键技术与参数,摸索出光刻环节线宽精确度到1μm的工艺过程最高后探索磁控溅射技术各项参数,调整工艺,制备出与掩模版图形设计相符合的SLC单层电
本发明提供的单层电容器,对薄介质层与同质的厚介质层衬底及两者间的电极浆料进行共烧并敷设上下电极；厚介质层由通孔将共烧电极引至厚介质层底部的外电极。电容器的电容量取决于薄介质层,获得高电容量,而厚介质层衬底大大增加了电容器的机械强度
单层陶瓷电容器的制造主要涉及陶瓷粉体、电极材料、助剂等原材料。工艺过程大致包括陶瓷粉体制备、成型、烧结、电极制作、划切、测试与分选等步骤。其中,陶瓷粉体的制备是关键,它直接影响到电容器的性能和稳定性。成型和烧结则是实现陶瓷介质结构
摘要： 本文以slc单层电容应用背景为前提,以介质陶瓷研究为衬底,采用半导体制造工艺技术探索陶瓷基slc的制备工艺。首先利用专业软件l-edit进行设计掩模版图形,完成slc单层电容所需掩模版加工制作;然后充分探索slc制备环节中光刻工艺关键技术与参数
首先利用专业软件L—EDIT进行设计掩模版图形,完成SLC单层电容所需掩模版加工制作；然后充分探索SLC 制备环节中光刻工艺关键技术与参数,摸索出光刻环节线宽精确度到1Ixm的工艺过程最高后探索磁控溅射技术各项参 数,调整工艺,制备出与掩模版图形设计相符合的SLC单层电容阵列。 光刻工艺；磁控溅射；单层电容；介质陶瓷 本
简介：本技术提供了一种多层陶瓷电容器的配方技术,包括将陶瓷粉、粘合剂与有机溶剂充分混合得到陶瓷浆料,并制备陶瓷薄膜；通过印刷工艺将内电极浆料印刷于陶瓷薄膜上以形成对应的内电极图案；在陶瓷薄膜的表面形成对应的内电极图案后
本文以多层瓷介电容器生产为基础,结合溅射、电镀、光刻原理,论述了单层陶瓷电容器从方案设计阶段再到产品投入使用阶段的全方位过程。首先介绍了单层陶瓷电容器在国内外的研究动态及发展趋势,其次介绍了电极制备的基本原理,并对电容器设计思路作了简单介绍
芯 片电容 的 产 品结构如下 （ 图 1 ）, 目 前主要采用流延法、轧膜法 制 备 陶 瓷基 片 。 通 过 磁 控溅射、 光 刻 和 电镀方法制备外电极,最高 后通过精确密 切割 技术制 得 不同 尺 寸的 芯片电容 。 图 1. 下 面简要的介 绍 下 芯片电容 的陶瓷基片的 几 种
本发明属于单层电容器制造工艺的技术领域,特指一种单层电容器陶瓷基片的制备方法。 背景技术： 单层电容器具有尺寸小(0.25*0.25mm)、厚度薄(0.1-0.3mm)、esr值超小、df值超小的特点,容值范围0.04pf-10000pf,使用频率可达到100ghz,以满足雷达t/r组件、光纤
单层陶瓷电容器的基本结构为金属电极-陶瓷介质基片-金属电极三层结构,其常规的制备工艺流程为：流延→叠片→层压切块→排胶→烧结→溅射→电镀→切割。单层陶瓷电容器的制备工艺中,切割一般采用机械切割方式,例如采用旋转刀片切割,然而
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