N-Channel 150 V MOSFETs are available at Mouser Electronics. Mouser offers inventory, pricing, & datasheets for N-Channel 150 V MOSFETs.
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装,RthJC低至0.45 °C/W,ID高达144 A,从而提高功率密度. 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布, 推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全方位新的150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP,旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。
sl3160h是一款内置150v高压mosfet的dc-dc控制器,专为高电压输入、低电压输出的应用场景设计。该芯片采用先进的技术的高耐压技术,能够承受高达150v的输入电压,远超一般低压转换器的设计标准。这种设计不仅拓宽了应用场景,如工业自动化、led照明、电力监控等,还
Terra CA 2 安全方位智能直流充电桩适用于 集中式充电场站和高档建筑配套,可高 效满足电动出租、电动网约车、电动物 流车、电动乘用车、电动大巴等多样化 的充电需求,能为充电运营商提
GAN7R0-150LBE - The GAN7R0-150LBE is a general purpose 150 V, 7 mΩ Gallium Nitride (GaN) FET in a Land Grid Array (LGA) package. It is a normally-off e-mode device offering superior performance.
而在实际应用中,dc-dc转换器是一种常见的降压和稳压元件,它可以将直流电压从一个值转换为另一个值,以满足不同电路的需求。其中,dc-dc12-80v降压（转）3.3v电源芯片是一种非常实用的元件,它可以将12v到80v的直流电压转换为3.3v的稳定电压,为各种电子设备提供
SVGP15751PL3 -3A -150V p型mos管采用DFN-8-3*3封装,具有开关速度快、低栅极电荷、低反向传输电容等特点,是-3A、-150VP沟道增强型场效应管,RDS(on)(典型值)=665mΩ@VGS=10V,广泛应用于5G电源、通讯电源、通讯设备等不间断电源及逆变器系统的电
150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品广泛适用于新能源汽车OBC、通信服务器、光伏储能、不间断电源UPS、电机驱动等领域,可提供TO-220、TO-263、TO-247、TOLL、DFN5x6等封装形式。 产品型号 产品特点 . 超低特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA） 极优品质因子FOM（导通电阻Ron*栅极总电荷Qg） 更高阈值电压Vth
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装,RthJC低至0.45 °C/W,ID高达144 A,从而提高功率密度 . 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年11月20日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全方位新的150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP,旨在提高通信、工业和
懂车帝提供在上一期的文章当中,我们对2024款的大阳v锐150t（芯动版）进行了静态方面的阐述,这款车在外观和配置上相较于市场中的同级别车型
TrenchFET® 器件采用PowerPAK® SO-8S封装,RthJC低至0.45 C/W,ID高达144 A,从而提高功率密度. 威世科技宣布,推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全方位新的150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP,旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。
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储能及微网系统解决方案 关键词： 联系我们 . 产品描述 优秀优势 技术参数 高效智能. 高效的谐波抑制算法; 智能多级调速⻛扇控制; 三电平拓扑,最高高98.9%转换效 . 应用灵活. 支持8台共直流;
系统选用高功率密度充电模块,输出电压宽达150v~1000v,防护等级可达ip55,可选配v2g充放电模块,实现v2g/v2h功能。同时还可以根据安装场地选择壁挂式或立式安装,是目的地充电的
Consultez la fiche technique Cupra Formentor 1.5 TSI 150ch V DSG7 : les prix, dimensions, performances, caractéristiques techniques et les équipements.
R DS(on) 最高高可降低41%比OptiMOS™ 5; FOM g 比OptiMOS™ 5降低20%; FOM gd 比OptiMOS™ 5降低17%; 150 V下的行业最高低Q rr; 与OptiMOS™ 5相比改善的二极管柔软度; V gs(th) spread of +/-500 mV; 高雪崩强度; 最高高温度（T j ）175°C和MSL1
oc5806l 是一款支持宽电压输入的 开关降压型 dc-dc,芯片内置 150v/3a 功率 mos,最高高输入电压可超过 120v。 oc5806l 具有低待机功耗、高效率、低纹 波、优秀的母线电压调整率和负载调整率 等特性。支持大电流输
TrenchFET ® 器件采用PowerPAK ® SO-8S封装,RthJC低至0.45 °C/W,ID高达144 A,从而提高功率密度. 美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2024年11月20日 — 日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布,推出采用PowerPAK ® SO-8S（QFN 6x5）封装的全方位新的150 V TrenchFET ® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP
说到大阳v锐150t的外观,我们就不得不聊到一个话题,那就是："好看与耐看"。有的车可能第一名眼看上去十分惊艳,但是第二眼或者第三眼就会发觉"不过如此"；大阳v锐150t的设计我认为是偏向于耐看型,虽然第一名眼不会有很惊艳的感觉,但是你会发现,三五年甚至是十年以后,这样的设计也
日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布, 推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全方位新的150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP,旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。 与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比,Vishay Siliconix SiRS5700DP 的总导通电阻降低了68.3
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称"东芝"）最高近推出的六款新产品均采用新一代"u-mosx-h系列"工艺,拓展了150 v n沟道功率mosfet产品线。该系列产品适用于数据中心和通信基站等工业设备的开关电源。新产品的封
这是150kw新能源汽车移动储能充电桩移动充电站光伏储能充电桩欧标的详细页面。适用对象:移动充电,产地:中国,是否进口:否,订货号:DL-750175150,货号:DL-750175150,加工定制:是,
Keysight EL33133A 台式直流电子负载可提供单路输入,并配有内置数据记录仪。 提供高达 40 A 和 150 V 的静态或动态负载测试。 可以在仪表视图中显示结果,或是使用内置数据记录仪,记录测试结果随时间的变化。
slg-150v. 超过250w金卤灯的大功率led光源,r / g / b / cw / dw高显色型5色标准阵容,使用我们独特的控制技术实现与调光值成比例的光输出,由于光量反馈功能,可用于稳定输出。 产品手册下载. 产品描述; 产品特性; 产品描述. 照度值最高高可达500万lx,该值优于250w卤素灯光源,可覆盖绝大部分对光照强度
目前,Mouser Electronics可供应N-Channel 150 V MOSFET 。Mouser提供N-Channel 150 V MOSFET 的库存、定价和数据表。
h4123是一种内置40v耐压mos,并且能够实现精确确恒压以及恒流的异步降压型 dc-dc 转换器； 支持 1.2a 持续输出电流,输出电压可调,最高大可支持 100%占空比；通过调节fb 端口的分压电阻,可以输出 2.5v到 32v 的稳定电压 。
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