PDN设计要求整个电源网络的对地阻抗要低于目标值,在阻抗较高的频点,需要选用对应类型的电容和容值,来压低这个地方的对地阻抗,不同类型的电容,阻抗曲线是不同的。 有关PDN设计,请参考文章 《PDN设计》 MURATA,TDK,KEMET在官网都有 软件 下载,提供每一个型号的电容阻抗曲线。 用这些工具了解电容特性吧！ 导电性高分子铝电解电容器（高
2,3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。 常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。 涤纶电容器,是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数（即温度升高时,电容量变大）的无极性电容。 耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。 一般应用于中、低频电路中。 常用的型号有CL11、CL21等系列。 1.结构. 有箔式和金属化式两种类型
1、 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最高大容量不超过1 000 pf,常用的有cc1、 cc2 、cc18a、cc11、ccg等系列。 2、3 类瓷介电容器其特点是材 料的介电系数高,容量大（最高大可达0.47 μf)、体积小 、 损耗和绝缘性能较 1 类的差
下面将介绍电子电路中常用的电容器种类： (1)按照结构分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。 (2)低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。 (3)调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。 (4)滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。 ,中文互联网高质量的问答社区和创作者聚集的原创内容
瓷片电容分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容
2,3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、 耦合 、旁路和滤波等电容器使用。 常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。 二、涤纶电容器（CL） 1.结构涤纶电容器,是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数（即温度升高时,电容量变大）的无极性电容。 2.优点耐高温、耐 高压 、耐潮湿、价格低。 3.用途一般应用于中、低频电路中。 常用的型号有CL11、CL21
常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。 涤纶电容器,是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数（即温度升高时,电容量变大）的无极性电容。 耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。 一般应用于中、低频电路中。 常用的型号有CL11、CL21等系列。 1.结构. 有箔式和金属化式两种类型。 2.优点. 箔式绝缘电阻大,介质损耗小,容量稳定,精确度高,但体积大,耐
2,3类广泛应用于中、低频电路中作隔直、耦合、旁路和滤波等电容器使用。 常用的有CT1、CT2、CT3等三种系列。 涤纶电容器,是用有极性聚脂薄膜为介质制成的具有正温度系数（即温度升高时,电容量变大）的无极性电容。 耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低。 一般应用于中、低频电路中。 常用的型号有CL11、CL21等系列。 有箔式和金属化式两种类型。 箔式
硬件基础知识---电容分类 智能硬件和物联网产品上,工作电压不高,其常用的电容根据不同的工艺,主要分为陶瓷电容、电解电容和钽电容。 ↑陶瓷 电容 的结构图 ↑电解 电容 的结构图 不管是什么 电容,都是两组金属片夹着一层介质。
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