硅光电池(PIN型)

硅光电池(硅光电半导体探测器),这个产品学术定义范畴很广泛,包括 硅光电二极管,硅光电探测器等。 通常被解释为经过释放和加速半导体中的电

硅光电池实验报告

硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工作状态,光电流随负载变化很大; 反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关 (很大动态范围内)。

硅光电池特性的研究

硅光电池是属于一种有pn 结的单结光电池.它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而 制成.当光照射在PN 结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向P 区和N 区集结,使

实验 13 硅光电池的特性及其应用

本实验以单晶硅光电池为例,通过实验让学生了解硅光电池的机理,学习和掌握测量 短路电流的方法和技巧,以及光电转换的基本参数测量。 二、实验目的

线性硅光电池 紫蓝光型

硅光电池接收光源角度不同,可能导致其技术指标不同. 为了满足客户需要,深圳市龙信达科技有限公司的标准光源, 规定在A光源下,色温2854k±50k, 照度在10Lux~100Lux下进行测试。

硅光电池特性研究

硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: )无偏压工作状态,光电流随负载变化很大。 )反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关(很大的动态范围内)。 当有光照并在在PN 结两端加负载时, 就有光生电流流过负载.当硅光电池在短路状态时(U = 0 ),短路电流ISC 和光照强度L 成正比.当硅光电池在开路状态时(I = 0 ),开路电压UOC 与光照强度L 的对数成正比....

实验S-3-5 硅光电池特性的研究与应用

硅光电池的光谱响应范围是400~1100nm,在使用时必须注意与入射光的波长相匹配, 以获得较高的光电子输出效率。 实验中经常通过测试硅光电池的相对灵敏度表征其光谱响应特性。

实验S-3-5 硅光电池特性的研究与应用

硅光电池是根据光生伏特别有效应而制成的光电转换元件,它和同类元件,如硒光电池、硫 化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比,有很多优点:如光谱响应范围宽、性能

上海交通大学物理实验报告(大二上)硅光电池特性的研究4.docx

由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成:反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关(在很大的动态范围内);无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流,在电压轴上的截距即为开路电压。 硅光电池的光谱响应。 图3为硅光电池的光谱特性曲线。 即相对灵敏

线性硅光电池

在本产品手册中,主要介绍可见光到近红外型线性硅光电池,该款产品适用工作在300-1100nm光谱范 围的各种光学仪器中。 我们在光电池原有电路上进行基础性的放大电路设计,增强对可见光到近红外光这

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