本章介绍典型晶体硅太阳能电池的结构及其原理。通过学习本章,学 生应了解以下内容： 1. 晶硅太阳能电池结构及其原理。 2. 晶硅太阳能电池高效结构设计及其原理。 3. 晶体硅高效率硅太阳能电池的发展。 2 3.1 结晶硅太阳能电池的种类和结构 硅的基本性质
制作太阳能电池板的方法主要是以半导体材料为基础,其工作原理是利用光电材料吸收光能后发生光电于转换反应,根据所用材料的不同,可分为：硅基太阳能电池和薄膜太阳能电池,2024-12-25 主要给大家讲硅基
掺入三价硼元素取代硅原子,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个"空穴"。因此,掺杂后空穴数目大量增加,空穴导电成为这种半导体的主要导电方式,称为p型半导体。
为了降低这种复合, 一是尽可能地降低电极接触面积, 二是在金属接触区域进行重掺杂,这样可以有效抑制这些接触区域的少 数载流子的浓度,从而降低表面复合率 53 3.4.2 具有本征薄膜的异质结太阳能电池 54 制造过程 上图为日本三洋电机开发出的非
先将籽晶降至液面数毫米处暂停片刻,使籽晶温度尽量接近熔硅温 度,减少籽晶与熔硅接触时在籽晶中产生的热应力； b. 将籽晶浸入熔硅,使头部熔解,接着籽晶上升,生长单晶硅 3. 缩颈 将籽晶快速提升,缩小结晶直径,一般至几毫米
PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。 该技术实现了薄膜沉积工艺的低温化( <450°C) 正常的SiNx 的Si/N 之比为0.75,即Si3N4 。 但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,Si/N 变化的范围在0.75-2左右。 除了Si...
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