光电池的温度特性是指开路电压和短路电流随温度变化的情况。由于它关系到应用光电池的仪器设备的温度漂移,影响测量精确度或控制精确度等重要指标,因此温度特性是光电池的重要特性之一。从图7-1-19中可以看出硅光电池开路电压随温度上升而明显下降,温度
当光照强度增大时,硅光电池的内阻怎么变化。为什么？最高简单的方法就是把硅光电池放在光照和黑暗的情况下用万用表测量正量：光照强度越大,内阻越大；反之。面积4平方毫米的硅光电池（峰值波长880nm） 无光照下负量
光伏电池的内阻随着温度和光照强度是怎么变化的？硅的电阻率初期是随着温度上升而下降,而且是明显下降的。但是当温度进入高温后,电阻率下降将会出现一个最高低值,然后温度如果继续升高,电阻率就开始上升。另外,温
原理：内光电效应,电子受光激发后离开价带,进入导带, 载流子 密度增加,电阻减小。 硅光电池的内阻随光照强度的变化规律是什么？ 其原理是什么？ 规律：当光照强度增大时,硅光电池的内阻减小原理：内光电效应,电子受光激发后离开价带,进入导带,载流子密度增加,电阻减小。
由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流
实验表明：在v =0 情况下,当硅光电池外接负载电阻rl,其输出电压和电流均随rl 变 化而变化。只有当rl 取某一定值时输出功率才能达到最高大值pm,即所谓最高佳匹配阻值 rl rlb,而rlb 则取决于太阳能电池的内阻ri= sc oc i v 。因voc 和isc 均随光照强度的增强而
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