第一名代是以单晶硅和多晶硅为代表的晶硅电池,第二代是以薄膜电池和聚光电池为代表非晶硅电池,第三代是钙钛矿为代表的新型化合物薄膜太阳能电池。依据cpia发布的《中国光伏产业发展路线图（2022-2023年版）》以及相关公开信息,晶硅电池在p型与n型的分类基础上,根据原材料和电池制备技术
在同等光照条件下,非晶硅薄膜电池比单晶硅电池年发电量增加15%左右。非晶硅电池还具有最高高的效率质量比(即材料轻而效率又比较高),其效率质量比是单晶电池的6倍,适宜将来太空太阳能电站的发展。 非晶硅太阳能电池的发展历史
尽管晶硅电池的理论极限效率仅有29.4%,但由于现实中能量损失的存在,目前光伏电池达到的实验室最高高效率约26.8%,量产最高高效率约26%左右,距离极限效率仍有一定的提升空间。 具体而言,能量损失包括光学损失和电学损失两类：光学损失是指由于光子能量不能被硅基体吸收而造成的损失,发生原因包括表面反射、长波投射或电极栅线遮挡等；电学损失又可
在同等光照条件下,非晶硅薄膜电池比单晶硅电池年发电量增加15%左右。非晶硅电池还具有最高高的效率质量比(即材料轻而效率又比较高),其效率质量比是单晶电池的6倍,适宜将来太空太阳能电站的发展。 非晶硅太阳能电池的发展历史
与传统的p型单晶电池和p型多晶电池相比,n型电池具有转换效率高、双面率高、温度系数低、无光衰、弱光效应好、载流子寿命更长 等优点。 双面P-PERC电池结构
HIT电池高效率的根源在于本征非晶硅薄膜优良的钝化效果。 由于晶硅衬底表面存在大量的悬挂键,光照激发的少数载流子到达表面后容易被悬挂键俘获而复合,从而降低电池效率。 此外,通过在硅片正面和背面沉积富氢的本征非晶硅薄膜,可以有效地将悬挂键氢化并降低表面缺陷,从而显著提高少子寿命,增加开路电压,最高终提高电池效率。 虽然每一层膜的厚度只
影响非晶硅电池转换效率和稳定性的主要因素有:透明导电膜、窗口层性质(包括窗口层光学带隙宽度、窗口层导电率及掺杂浓度、窗口层激活能、窗口层的光透过率)、各层之间界面状态(界面缺陷态密度)及能隙匹配、各层厚度(尤其i层厚度)以及太阳能电池结构等
pecvd技术通过使用射频或微波能量激发含硅气体（通常是硅烷sih₄）生成等离子体,进而在较低的温度（约200°c到300°c）下在基片上沉积非晶硅薄膜。这种技术的主要优势在于：
目前量产效率普遍已在24%以上；25%以上的技术路线已经非常明确,即在前后表面使用掺杂纳米晶硅、掺杂微晶硅、掺杂微晶氧化硅、掺杂微晶碳化硅取代现有的掺杂；HJT未来叠加IBC和钙钛矿转换效率或可提升至30%以上。 由于HJT电池衬底通常为N型单晶硅,而N型单晶硅为磷掺杂,不存在P型晶硅中的硼氧复合、硼铁复合等,所以HJT电池对于LID效应是免疫的
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