〔摘要〕本文主要讨论了基于BCM以太网套片的板级电容耦合应用,。 通过对于耦合电容的参数选择展源自文库了对电容耦合技术的探讨,对后续AC耦合应用的分析有一定的参考意义。 以太网作为广泛应用的通信网络物理层互连技术的一种,也被系统设计人员应用于板级系统互连。 只是在板级应用中由低成本磁片电容耦合替代了传统的网络变压器耦合方式。 虽然电容耦合与变压器
C=frac{Q}{U} （*） 其中：C为电容；Q为两极板的带电量；U为两极板间的电压。C=frac{varepsilon_{r}S}{4πkd} (**) 其中： C为电容； varepsilon_{r} 为电介质的相对介电常数,一般空气为1,插入电介质后比空气大； S为两极板正对面积,如下
在现代电子设备中,板级电源作为核心组件之一,其性能与体积的平衡直接关系到整个系统的效能、可信赖性和便携性。随着科技的进步的步伐和市场的多元化需求,如何在确保电源性能的同时,尽可能减小其体积,成为了一个亟待解决的问题。
应用文档从元件选择、电路设计和印制电路板的布线等几个方面讨论了电路板级的电磁兼容性（EMC）设计. 本文从以下几个部分进行论述： 元件的选择和电路设计是影响板级电磁兼容性 性能 的主要因素。 每一种电子元件都有它各自的特性,因此,要求在设计时仔细考虑。 下面将讨论一些常见的用来减少或抑制电磁兼容性的电子元件和电路设计技术。 有两种基本的
pi设计就是通过合理的平面电容、分立电容、平面分割应用确保板级电源通道阻抗满足要求,确保板级电源质量符合器件及产品要求,确保信号质量及器件、产品稳定工作。
去藕电容器作为电荷贮存器分布在 电路板和ic上。电荷通过去藕电容器传送给需要电荷的ic及晶体管电路。电 容与ic的临近程度决定了供应电荷所需要的时间 半导体电路板典型的pdn电路如下图 电容器和晶体管的临近程度决定了电容器是以高频、中频还是
Intel 计划在未来的发布中将在 表 12 中添加更多的封装以应对其它 英特尔Agilex® 7 器件的去耦电容方案。 针对每个tile的去耦电容建议适用于任何尺寸的封装。 表 12. 英特尔Agilex® 7 FPGA F系列、I系列和M系列去耦电容器摘要. 必须编译VR供应商电容建议。 将47uF 0805电容器放置于底部空腔（cavity）内。 在靠近FPGA的顶层使用47uF 0805外设电容器。 必须编译VR供应商电容
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