硅光电池特性的研究

当光照射硅光电池时,将产生一个由n区流向p区的光生电流iph,同时由于pn结二极管 的特性,存在正向二极管管电流 I D,此电流方向从P区到N区,与光生电流相反,因此实际

硅光电池在零偏和反偏时光电流与输入光信号关系特性测定.ppt

调节发光二极管静态驱动电流,分别测定光电池在零偏和反偏时光电流与输入光信号关系,并绘成曲线。比较零偏和反偏时的两条曲线,求出光电池的饱和电流Is 。 实验内容 *

中国科学技术大学 大学物理 基础实验 A 实验报告

硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工 作状态,光电流随负载变化很大;反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关(很大动 态范围内)。

硅光电池特性研究

当硅光电池pn 结处于零偏或反偏时,耗尽区存在一内电场,当有光照时,电池对光子的本征吸收激发了 少数载流子,激发出的电子-空穴对在内电场作用下分别飘移到N 型区和P 型区,当在PN 结两端加负载时就

上海交通大学物理实验报告(大二上)硅光电池特性的研究.docx

硅光电池的照度特性 硅光电池的短路电流与照度关系当光照射硅光电池时,将产生一个由n区流向p区的光生电流,同时由于pn结二极管的特性,存在正向二极管管

硅光电池实验报告

各种波长的单位辐射光能或对应的光子入射到硅光电池上,将产生不同的短路电流,按波长的分布求得其对应的短路电流变化曲线称为硅光电池的光谱响应曲线。 (本实验不深入研究) 硅光电池、 数字万用表、 毫安表、电阻箱、溴钨灯(本实验台溴钨灯设定为光学导轨及支座、开关、导线。 按实验要求,预热溴钨灯,连接好电路。 测量不同、不同下硅电池的工作电压。 d 为50 cm,电阻箱作

大学物理实验->零偏时硅光电池截止频率f低f高怎么算?

大学物理实验->零偏时硅光电池截止频率f低f高怎么算?根据图形U等于0.707Umax画一条直线与曲线有两个交点,左边的是f低右边的是f高。 根据图形U等于0.707Umax画一条直线与曲线有两个交点,左边的是f低右边的是f高。

硅光电池截止频率计算公式

硅光电池的截止频率计算公式如下: f_cutoff = B V / qL2 其次,电池结的大小也是关键因素之一。电池结的大小越大,载流子的扩散长度就会变长,从而导致截止频率的降低。因此,合理设计硅光电池结构,使其具有更小的电池结尺寸,也可以提高硅光电池的截止

实验五十二硅光电池特性的研究(精确)

在硅光电池输入光强度不变时(取发光二极管静态驱动电流为15mA),测量当负载从0~100kΩ的范围内变化时,光电池的输出电压随负载电阻变化关系曲线。

上海交通大学物理实验报告(大二上)硅光电池特性的研究4.docx

硅光电池对光比较敏感。实验时应尽量保持外界光照条件一样。硅光电池的光谱响应实验中最高大的灵敏度对应的波长范围大概为1000nm左右,而实验中最高大的波长为670.7nm,故无法测得相对灵敏度。思考题实验中所用光源的电压发生变化,表二所提供的参数是否发生

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