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硅光电池实验报告

硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成: 无偏压工作状态,光电流随负载变化很大;反偏压工作状态,光电流与偏压、负载几乎无关 ( 很大动态范围内)。 为流过 PN 结的电流,为反向饱和电流,q 为电子电荷,为玻尔兹曼常数,T 为绝对温度,U 是加在P-N 结两端电压。 对于外加正向电压,随 V 指数增长,称正向电流;当外加电压为反向时,在反向击穿电压 之内,反向饱和电流基本是个常数。...

硅光电池特性的研究

由硅光电池的伏安特性曲线在I轴和V轴上的截距求出短路 电流ISC和开路电压UOC。并描绘出P-R关系曲线,如图6中的虚线, 求出硅光电池的最高大输出功率Pmax及等效电阻Rm 并计算出填充 硅光电池特性的研究 一、实验目的 1.掌握 PN 结形成原理及其工作机理;

实验S-3-5 硅光电池特性的研究与应用

硅光电池是根据光生伏特别有效应而制成的光电转换元件,它和同类元件,如硒光电池、硫 化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比,有很多优点:如光谱响应范围宽、性能

硅光电池特性的研究 大学物理实验(共16张PPT)

硅光电池是一个大面积的光电二极管,它可把入射到它表面 的光能转化为电能。当有光照时,入射光子将把处于介带中的束 缚电子激发到导带,激发出的电子空穴对在内电场作用下分别漂 移到n型区和p型区,当在pn结两端加负载时就有一光生电流流 过负载。

硅光电池特性研究

硅光电池是根据光伏效应而制成的将光能转换成电能的一种器件,它的基本结构就是一个P-N结。 当P 型和N 型半导体材料结合并达到平衡时,PN结两侧形成一个耗尽区,耗尽区的特点是无自由载流子,呈现高阻抗。...

硅光电池特性的研究实验报告

硅光电池是一种典型的太阳能电池,在日光的照射下,可将太阳辐射能直接转换为电能,具有性能稳定,光谱范围宽,频率特性好,转换效率高,能耐高温辐射等一系列优点,是应用极其广泛的一种光电传感器。 因此,在普通物理实验中开设硅光电池的特性研究实验,介绍硅光电池的电学性质和光学性质,并对两种性质进行测量,联系科技开发实际,有一定的新颖性和实用价值。 [实

硅光电池特性研究

打开信号发生器、双踪示波器电源,将功能转换开关打到 " 零偏 " 处,将硅光电池的输出连接到 I/V 转换模块的输入端。令 LED 偏置电流为 10mA,在信号输入端加正弦调制信号,使 LED 发 送调制光信号,保持输入正弦信号的幅度 (V PP =5V) 不变,调节

上海交通大学物理实验报告(大二上)硅光电池特性的研究.docx

硅光电池的负载特性当硅光电池接上负载R时,硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。它的伏安特性见图2。由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成:反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关(在很大的动态范围内);无偏

硅光电池结构与工作原理及其应用

硅光电池内部结构如图1所示,主要由两部分组成:n型硅基片层和p型硅受光层。 根据pn结原理,当光照在p型硅表面,且光子能量大于材料的禁带宽度时,在pn结内产生 电子 -空穴对。

硅光电池特性研究

硅 光电池可将太阳能转换为电能,实现太阳能的利用。 本实验的目的主要是探讨太阳能电池的 基本特性,测量太阳能电池下述特性:1、在没有光照时,太阳能电池主要结构为一个二极 管,测量该二极管在正向偏压时的伏安特性曲线,并求得电压和电流关系的经验公式。 2、 测量太阳能电池在光照时的输出特性并求得它的短路电流 ( ISC)、开路电压 ( UOC)、最高大输出 功率 Pm及填

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