硅光电池是根据光生伏特别有效应而制成的光电转换元件,它和同类元件,如硒光电池、硫 化镉光电池、砷化镓光电池、碘化铟光电池等相比,有很多优点：如光谱响应范围宽、性能
硅光电池是一个大面积的光电二极管,它可把入射到它表面 的光能转化为电能。当有光照时,入射光子将把处于介带中的束 缚电子激发到导带,激发出的电子空穴对在内电场作用下分别漂 移到n型区和p型区,当在pn结两端加负载时就有一光生电流流 过负载。
硅光电池是一种典型的太阳能电池,在日光的照射下,可将太阳辐射能直接转换为电能,具有性能稳定,光谱范围宽,频率特性好,转换效率高,能耐高温辐射等一系列优点,是应用极其广泛的一种光电传感器。 因此,在普通物理实验中开设硅光电池的特性研究实验,介绍硅光电池的电学性质和光学性质,并对两种性质进行测量,联系科技开发实际,有一定的新颖性和实用价值。 [实
硅光电池的负载特性当硅光电池接上负载R时,硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。它的伏安特性见图2。由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏
硅光电池内部结构如图1所示,主要由两部分组成：n型硅基片层和p型硅受光层。 根据pn结原理,当光照在p型硅表面,且光子能量大于材料的禁带宽度时,在pn结内产生 电子 -空穴对。
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