电池的伏安特性曲线相当于把p-n 结的伏安特性曲线向 下平移,它在横轴与纵轴的截距分别给出了 V OC 和 I SC 。 实验表明：在 V =0 情况下,当硅光电池外接负载电阻 R L,其输出电压和电流均随 R L 变
硅光电池特性研究作图. 这次实验,要测量很多数据,并且作很多图。把我的数据、代码、图片分享上来。 原始数据. Github下载：硅光电池特性研究.xlsx. Mathematica 作图代码. 不同光照度下的I-U曲线(零偏）.nb. 不同光照度下的P-R曲线(零偏）.nb. 开路电压光照
由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流
硅光电池的光谱响应范围是400～1100nm,在使用时必须注意与入射光的波长相匹配, 以获得较高的光电子输出效率。 实验中经常通过测试硅光电池的相对灵敏度表征其光谱响应特性。
硅光电池的负载特性 当硅光电池接上负载 R 时,硅光电池工作可以在反向偏置电压状态或无偏压状态。它的伏安特性见图 2。由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 1. 反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内
若在PN 结上加正向电压,即外电源的正极接P 区,负极接N区,也称为正向偏置。 此时外加电压在PN结中产生的外电场和内电场方向相反,扩散和漂移运动的平衡被破坏。 外电场驱使P 区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷,同时N区的自由电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷。 于是整个空间电荷区变窄,内电场被削弱,多数载流子的扩散运动增强,形成较大的扩散电流(正向
由图中可见,硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成：反偏工作状态,光电流与偏压、负载电阻几乎无关（在很大的动态范围内）；无偏工作状态,光电二极管的光电流随负载电阻变化很大。 由图2可看到,在一定光照下,负载曲线在电流轴上的截距是短路电流,在电压轴上的截距即为开路电压。 硅光电池的光谱响应。 图3为硅光电池的光谱特性曲线。 即相对灵敏
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