近年来不断有新型的光伏半导体薄膜材料提出,其中锑基硫属化合物太阳电池因其原材料丰富、低毒性、制备方法简单和光电性能优秀且稳定性好等特点得到了快速发展。 锑基硫属化合物家族采用Sb2X3 的化学式,包括硫化锑(Sb2S3)、硒化锑(Sb2Se3)和硫硒化锑(Sb2(S,Se)3)。 目前,采用蒸发法制备Sb2Se3太阳电池最高高到达10. 12% 的转换效率,而采用溶液法制备Sb2S3 太阳电
经过近几年的发展, 硫硒化锑太阳电池的光电转换效率已经突破10%, 极具发展潜力. 本文针对硫硒化锑太阳电池中n/i界面引起的载流子复合进行了深入研究. 发现硫硒化锑太阳电池的界面特性会受到界面电子迁移能力和能带结构两方面的影响. 界面电子迁移率的提高
硫化锑(Sb2S3)是一种性质稳定的V-Ⅵ族直接带隙半导体材料,地壳中含量丰富,安全方位无毒.由于Sb2S3具有较高的光吸收系数(α≈105 cm-1),并且带隙宽度适中,易于调控(1.5 ～2.2 eV),覆盖了大部分可见光光谱,因此被视为最高有希望得到应用的太阳能电池材料之一.本文结合近年来
硒硫化锑,其化学式为Sb2(S,Se)3,是近年来太阳能电池研究领域的一种新兴光捕获材料,其带隙在1.1-1.7 eV范围内可调,满足最高佳的太阳光谱匹配。同时,Sb2(S,Se)3具有较高的吸收系数,五百纳米左右厚度的薄膜即能达到最高佳吸收；因此,Sb2(S,Se)3太阳能电池在超轻
理论上,光谱极限最高大效率计算表明,200纳米的二维铜锑硒和一维硒化锑就可以实现27%和28%的转化效率,优于三维的铜铟硒（23%）、铜锌锡硫（22%）和碲化镉（20%）。 实验上,硒化锑太阳能电池经过短短7年的发展即实现了9.2%的效率。 因此,低维材料在光伏器件中的应用值得研究者的关注。 近期, 华中科技大学武汉光电国家研究中心唐江教授课题组 以《Low
他们发展了水热沉积法制备硒硫化锑(Sb2(S,Se)3)半导体薄膜材料并将其应用到太阳能电池中,实现了光电转换效率10%的突破。该成果以"Hydrothermal deposition of antimony selenosulfide thin films enables solar cells with 10% efficiency"为题发表在国际著名学术期刊
近日,中国科学技术大学陈涛教授、朱长飞教授团队,与新南威尔士大学的Xiaojing Hao教授等合作,发展了水热沉积法制备硒硫化锑 (Sb2 (S,Se)3)半导体薄膜材料并将其应用到太阳能电池中,实现了光电转换效率10%的突破。 该成果以"Hydrothermal deposition of antimony selenosulfide thin films enables solar...
硫化锑(Sb_2S_3)太阳能电池由于其低成本,高稳定性等优点引起了广泛的研究兴趣.硫化锑电池的发展受到自身的局限,如:带隙为1.7 eV,吸收光谱范围略窄,和电极的接触势垒高等.我们采用真空法制备了全方位无机Sb_2S_3薄膜太阳能电池,研究了以Sb_2Se_3分别作为协调吸收层和
目前 Sb 2 (S, Se) 3 太阳电池最高高效率已超过 10%, 显示出产业化潜力。Sb 2 (S, Se) 3 太阳电池的研究重点是提高 吸光层质量和优化器件结构。首先
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