这 些拼接电容器可最高大限度地减少电流环路面积以及由于穿过分割点而产生的任何阻抗不连续性。这些电容器应当 为 1μf 或更低,并且要尽可能靠近平面交叉点放置。有关错误的平面分割点布线和正确的拼接电容器放置的示
具体方法有三种：1. 在隔离栅两端接一个安规电容；2. 里层上的接地和电源层可以延伸到pcb的隔离间隙中,形成一个交叠拼接电容；3.在里层的隔离侧与非隔离侧之间的间
应使用拼接电容器并将其安装在间隙上,最高好在信号走线的任一侧各安装一个。电容器应放置在靠近穿过间隙的走线处（最高好在 0.1 英寸或 2.5 毫米以内）,如下上图所示。
如果需要在两个不同的参考平面上路由信号,则应包含拼接电容器。拼接电容器使返回电流能够从一个参考平面传输到另一个参考平面。电容器应靠近信号路径放置,以便前向路径和返回路径之间的距离保持较小。一般拼接
串联电容是指两个或多个电容连接在一条线上。 一个电容的正极板连接到下一个电容器的负极板。 当电容串联连接时,所有电容器上的充电和电流相同。 为什么串联电容的电荷是一样的？ 对于串联电容器,相同数量的电子将流过每个电容
隔离栅上的拼接电容为高频电流提供必要的低阻抗返回路 径,同时系统仍能保持所需的高压隔离。 拼接电容的实现 以下方法可用来实现跨越pcb上隔离间隙的拼接电容： • 高压、满足安规的分
这 些拼接电容器可最高大限度地减少电流环路面积以及由于穿过分割点而产生的任何阻抗不连续性。这些电容器应当 为 1μf 或更低,并且要尽可能靠近平面交叉点放置。有关错
本用户指南介绍了该 EVM 的连接器、测试点描述、工作模式、原理图、物料清单和电路板布局布线。 TPSI2072-Q1 是一款 3.75kVrms/5.3kVDC 双通道隔离开关。电路板的输入和输出连接是
可使用以下两种方法中的一种来产生拼接电容： • 利用pcb内层,在gnd1和gnd2(引脚11和引脚14)之间形成一个嵌入式拼接电容 • 在gnd1(引脚10)和gnd2(引脚11)之间连接一个高压分立电容. 图1. 将辐射降至最高低的建
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