1．研究硅光电池的照度（光强）特性,用特性曲线表示结果． （1）测量硅光电池的短路电流与照度间的关系； 由于硅光电池的短路电流随照度的变化太大从而给测量带来了困难,本实验采用测量 取样电阻（100 Ω）上的电压来代替此时的短路电流．
2.研究硅光电池的主要参数和基本特性。 实验原理： 硅光电池的照度特性 硅光电池是属于一种有pn结的单结光电池。它由半导体硅中渗入一定的微量杂质而制 成。当光照射在pn结上时,由光子所产生的电子与空穴将分别向p区和n区集结,使pn 结两端产生
通过本次实验,我们对硅光电池的特性进行了研究,发现光照强度、外加电压和外接电阻对硅光电池的输出特性均有影响。在实际应用中,我们可以根据这些特性对硅光电池进行优化设计,提高其能量转换效率和稳定性。
通过硅光电池光学和电学性质的实验研究,有助于了解用以表征光电器件性能的研究方法及其技术手段。 学习数字式多用表的使用。 了解硅光电池的基本特性。 用马吕斯定律检验硅光电池的线性响应。 用硅光电池的偏置特性设计调光电路。 1. 半导体P-N结及其偏置特性 半导体中掺入微量的的三价(五价)杂质元素,就形成了P 型(N 型)半导体。 把P型硅和N 型硅互相紧密地衔接就组成一
摘要 为了研究硅光电池的特性,应用新的电学实验手段,借助光伏效应实验仪,对硅光电池的光电特性、伏安特性、负载特性作了初步的分析和研究,得到了硅光电池的开路电压、短路电流、内阻与光照强度的关系,以及衡量光电池性能优劣的重要指标填...
硅光电池特性的研究了解硅光电池的工作原理及其应用。研究硅光电池的主要参数和基本特性。硅光电池的照度特性 硅光电池的短路电流与照度关系当光照射硅光电池时,将产生一个由N区流向P区的光生电流,同时由于PN结二极管的
本实验旨在通过对硅光电池的特性进行研究,探索其在不同条件下的性能表现,为太阳能利用的进一步发展提供参考。 在此实验中,我们将同时调节光照强度和温度,研究它们对硅光电池特性的联合影响。 实验结果显示,光照强度和温度的变化对硅光电池特性有着复杂的影响。 当光照强度较低且温度较高时,硅光电池的输出电流和电压均较低。 这是因为低光照强度下光生载流子的产
研究硅光电池的主要参数和基本特性。 1. 硅光电池的短路电流与照度关系. 极管的特性,存在正向二极管管电流ID 。 此电流方向从 P 区到 N 区,与光生电流相反,因. 输出电阻减小。 那么应该是硅光电池的电阻随着光照强度的增大尔减小。 电流则是线性上升的,这与书中的理论图相差不多。 距离,但是注意这时必须要求光源必须是点光源,不能使平行光,否则不满足距离反比。 光。
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