如果这两只电容器串联,需要增加均压电阻,均压,以确保两只串联电容器上的电压都相等, 串联后,总的耐压值 是100V+100V=200V； 如果不均压,总耐压达不到200V。
在电容串联中,就是将两个或多个电容器的连接方式改为首尾相连,从而形成一个串联电路。这种串联电路可以起到改变电路的电容值、耐压值,电感值和阻抗等参数的作用,常被用于滤波、谐振、旁路等电路中。在串联电路中,电容的连接方式非常重要,因为
以常用的10kV并联电容器为研究对象,分析了电容器组在运行过程中内部元件击穿一串、二串情况的击穿放电量,故障相电容器的电压暂态变化量,并估计了放电电流的峰值。 在EMTP仿真软件中建立了电容器的击穿模型,计算并分析了击穿元件的等效电路参数对放电电流峰值的影响：电阻值越大,则击穿峰值电流越小,随着电阻值的增加,击穿电流峰值下降减缓。
电容的击穿电压是指电容器在电场作用下,电介质失去绝缘性能,导致电容器的两极间发生短路时的电压。击穿电压是电容器的一个重要参数,正确计算击穿电压对于确保电路的安全方位运行至关重要。
串联电容上的实际电压与其电容量成反比,即容量大的分配的电压低,容量小的分配的电压高。如果容量一样大那么电压也就一样。 两个电容串联分压的计算公式： 首先设总电压是u,c1、c2上的电压分别是u1、u2,则 u1=c2*u/(c1+c2) u2=c1*u/(c1+c2)
而在数字电路中,一般要给每个芯片的电源引脚上并联一个0.1uF的电容到地（这个电容叫做退耦电容,当然也可以理解为电源滤波电容,越靠近芯片越好）,因为在这些地方的信号主要是高频信号,使用较小的电容滤波就可以了。
一旦击穿,总电压u就要全方位部加在另一个电容c2 上,若这个c2电容耐压值低于总电压,则第二个电容也面临击穿的危险。 串联电容器上的实际电压与其电容器的容量成反比,即容重大的电容器分配的电压低容量小的电容器分配的电压高。
合理选择电容器：确保并联的电容器额定电压和电容值匹配,且有足够的电压裕度,避免超过额定工作条件。 电容并联后被击穿的原因 最高新推荐文章于 2024-12-13 16:13:22 发布
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