用于太阳能电池的硅或其他半导体材料可以是单晶(Single)、多晶(Multi)、多晶(Poly)或非晶(Amorphous)。这些材料之间的主要区别在于半导体具有规则、完美无缺有序的晶体结构的程度,因此半导体材料可以根据构成材料的晶体的尺寸进行分类。
硅太阳能电池是以硅半 导体材料为底材衬底。 衬底的选择：一般来说,除了价格成本和来源难易外,根据不同用途,可 从以下几方面选择: 1.导电类型 P型硅用B作为掺杂元素,制成n+/p型太阳能电池； n型硅用P（或As)为掺杂元素,制成p+/n型太阳能电池； 两类电池性能相当,但n+/p型太阳能电池耐辐照性能优于p+/n型太阳 能电池,更适合空间应用。 10 3.1.2结晶硅
单晶硅、多晶硅和非晶等几种硅基太阳能电池的介绍,根据硅片厚度的不同,可分为晶体硅太阳能电池和薄膜硅太阳能电池两大类。本文主要论述以下几种硅基太阳能电池的基本原理：单晶硅太阳能电池,多晶硅太阳能电池,...,国际太阳能光伏网
根据硅片厚度的不同,可分为晶体硅太阳能电池和薄膜硅太阳能电池两大类。本文主要论述以下几种硅基太阳能电池的基本原理：单晶硅太阳能电池,多晶硅太阳能电池,多晶硅薄膜太阳能电池,非晶硅薄膜太阳能电池,微晶硅薄膜太阳能电池。
目前太阳电池使用的多晶硅材料,多半是含有大量单晶颗粒的集合体,或用废次单晶 硅料 和冶金级硅材料熔化浇铸而成。 其工艺过程是选择电阻率为100～300欧姆厘米的多晶块料或单晶硅头尾料,经破碎,用1：5的氢氟酸和硝酸混合液进行适当的腐蚀,然后用去离子水冲洗呈中性,并烘干。 用石英坩埚装好多晶硅料,加人适量硼硅,放人浇铸炉,在真空状态中加热熔化。 熔化后
电池背面由一层超薄氧化硅（1~2nm）与一层磷掺杂的微晶非晶混合Si薄膜组成,二者共同形成钝化接触结构。 钝化性能通过退火过程进行激活,Si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化,由微晶非晶混合相转变为多晶。 在850°C的退火温度下退火,iVoc>710mV,J0在9-13fA/cm2,显示了钝化接触结构优秀的钝化性能。 该结构可以阻挡少子空穴复合,提升电池
1、多晶硅光伏组件：采用多晶硅片加工出来的光伏组件,多晶硅是使用多晶硅块状材料采用铸锭工艺制造出来的（方形硅锭）。 2、单晶硅光伏组件：采用单晶硅片加工出来的光伏组件,单晶硅是使用多晶硅块状材料采用拉棒工艺制造出来的（圆形硅棒）。 P型光伏组件和N型光伏组件. 1、P型光伏组件：采用P型太阳能电池片组装的光伏组件。 P型太阳能电池片是
电池背面由一层超薄氧化硅（1~2nm）与一层磷掺杂的微晶非晶混合Si薄膜组成,二者共同形成钝化接触结构。 钝化性能通过退火过程进行激活,Si薄膜在该退火过程中结晶性发生变化,由微晶非晶混合相转变为多晶。 在850°C的退火温度下退火,iVoc>710mV,J0在9-13fA/cm2,显示了钝化接触结构优秀的钝化性能。 该结构可以阻挡少子空穴复合,提升电池
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