近日,德国弗劳恩霍夫太阳能系统研究所（Fraunhofer ISE）的科学家们带来了一项革命性的技术,他们通过一种全方位新的的前金属化工艺成功制造出一种III-V族砷化镓（GaAs）太阳能电池。这种新型工艺被认为具有巨大的可扩展性、低成本以及高效性,有望推动
通过D-HVPE技术,NREL能够使用砷化镓 (GaAs)和磷化铟镓 (GaInP)来制造太阳能电池——将后者作为"窗口层"来钝化正面,同时允许光穿过砷化镓吸收层。 但是,磷化铟镓层不像可以在MOVPE反应器中轻松生长的磷化铝铟层那样透明。 采用磷化铝铟窗口层,用MOVPE方法生长的砷化镓太阳能电池的世界效率记录现为29.1%。 而采用磷化铟镓的替代方案,通
InGaAs 材料是典型的三元砷化物半导体材料,其带隙可随In组分的调整而调整。砷化镓带隙最高大可调整为 1.424eV,砷化铟最高小可达 0.356eV。所以铟镓砷材料带隙调节范围较宽,可以满足热光伏电池所需的带隙要求。可供 InGaAs/InP 外延片用于制备太阳能电池
今年年初,美国能源部国家可再生能源实验室（nrel）和新南威尔士大学的研究人员宣布,通过双结双层光吸收层电池,实现了双结太阳能电池32.9％的新世界纪录效率,让更高效率的太阳能电池成为可能。
具有磷化铝铟(AlInP)窗口层的MOVPE培养的砷化镓(GaAs)太阳能电池的世界效率记录是29.1%。 而对于采用了镓铟磷(GaInP)作为替代品的电池,HVPE培养的太阳能电池的最高大效率估计仅为27%。
通过D-HVPE技术,NREL能够使用砷化镓（GaAs）和磷化铟镓（GaInP）来制造太阳能电池——将后者作为"窗口层"来钝化正面,同时允许光穿过砷化镓吸收层。 但是,磷化铟镓层不像可以在MOVPE反应器中轻松生长的磷化铝铟层那样透明。 采用磷化铝铟窗口层,用MOVPE方法生长的砷化镓太阳能电池的世界效率记录现为29.1%。 而采用磷化铟镓的替代方
根据中国光伏行业协会及各上市企业公报数据综合测算,2023年,我国薄膜太阳能电池市场中,碲化镉电池市场占比最高高,超过60%,其次为cigs电池。近年来,钙钛矿电池受到行业推崇,但由于产业化程度较低,因此占比仍十分有限。
根据TestPV对光伏电池前沿技术的关注发现,NREL的科学家最高近成功地用一种从未实现过的方法,制造出低成本的砷化镓材料,有望大幅降低其成本,最高终实现在地面光伏电站的应用。 砷化镓,由于其在元素周期表上的位置而得名为III-V 太阳能电池,其超高的光电转化效率让它在空间应用中常用。 但对地面电站来说这些元素实在太贵,是太昂贵。 一直以来,研究
通过D-HVPE技术,NREL能够使用砷化镓 (GaAs)和磷化铟镓 (GaInP)来制造太阳能电池——将后者作为"窗口层"来钝化正面,同时允许光穿过砷化镓吸收层。 但是,磷化铟镓层不像可以在MOVPE反应器中轻松生长的磷化铝铟层那样透明。 采用磷化铝铟窗口层,用MOVPE方法生长的砷化镓太阳能电池的世界效率记录现为29.1%。 而采用磷化铟镓的替代方案,通
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