如果电池片做成组件时,电池片的正负极被接反,或者组件被加上反偏电压时,由于电池片的暗电流过大,电流叠加后会迅速的将电池片击穿,不过这样的情况很少发生,所以测试暗电流在这方面作用不是很大。
当电池片工艺流程结束后,可以通过测试暗电流来观察可能出现的工艺的问题,前面说过,暗电流是由反向饱和电流和薄层漏电流以及体漏电流组成的,分别用j1,j2,j3表示,当我们给片子加反偏电压时,暗电流随电压的升高而升高,分3个区,1区暗电流由j2起
漏电流. 太阳能电池片可以分3层,即薄层（即n区）,耗尽层（即pn结）,体区（即p区）,对电池片而言,始终是有一些有害的杂质和缺陷的,有些是硅片本身就有的,也有的是我们的工艺中形成的,这些有害的杂质和缺陷可以起到复合中心的作用,可以虏获空穴
本文描述了晶体硅太阳能电池片局部漏电现象,分析了晶体硅硅片及 电池生产过程中可能产生的漏电原因及预防措施。电池生产过程中刻蚀不完 全方位或未刻蚀、点状烧穿和印刷擦片或漏浆等情况会产生漏电,严重影响电池 片的品质,另外发现 Si3N4 颗粒、多晶硅晶
电池片的暗电流：指的是电池的暗特性,光伏电池在无光照时,由外电压作用下 p-n 结内流过的单向电流。 反向饱和电流：这个外电压从 0 开始,从坐标图上看,逐渐增加的过程中,电流的曲线变化过程中,会有一个拐点,取这个拐点的电流就是反向饱和电流。
晶体硅片在制作生产过程中导致局部漏电重要原因为1）通过PN结的漏电流；2）沿电池边缘的表面漏电流；3）金属化处理后沿着微观裂纹或晶界形成的微观通道的漏电流。 本文重要探究了晶体硅电池漏电的原因,并进行具体分析。 一、晶体硅太阳电池工作原理. 如图1所示,当处于开路的情况下,当光生电流和正向电流相等的时候,则由于电子和空穴分别流入N区和P区,使N区的费米
1. 光伏电池漏电流 . 电池片内部由于硅片自身或者工艺过程会形成部分杂质和缺陷,这些杂质和缺陷可以起到复合中心的作用,复合的过程始终伴随着载流子定向移动产生微小的电流,这些电流称漏电流。 2. 漏电流产生原因 . ① 通过pn结的漏电流；
光伏系统漏电流,又称方阵残余电流,本质为共模电流,其产生原因是光伏系统和大地之间存在寄生电容,当寄生电容-光伏系统-电网三者之间形成回路时,共模电压将在寄生电容上产生共模电流。当光伏系统中安装有工频变压器时,由于回路中变压器绕组间
晶体硅片在制作生产过程中导致局部漏电主要原因为1）通过PN结的漏电流；2）沿电池边缘的表面漏电流；3）金属化处理后沿着微观裂纹或晶界形成的微观通道的漏电流。 本文主要探究了晶体硅电池漏电的原因,并进行具体分析。 一、晶体硅太阳电池工作原理. 如图1所示,当处于开路的情况下,当光生电流和正向电流相等的时候,则由于电子和空穴分别流入N区和P区,使N区的费米
从晶体硅太阳电池生产工艺流程看,以下几个因素与电池片漏电有关：1)刻蚀不彻底面或未刻蚀; 2)点状烧穿;3)印刷擦片或漏浆。对上述三方面进行实验研究,在研究过程中发现除了以上三种漏电原因外,还有Si3N4颗粒、多晶晶界等也会造成电池片漏电。
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