电容器损耗角正切值

损耗角正切值（tanδ）表示电容器的能量损耗,它是一个非常重要的参数,因为损耗越低,电容器的效率越高,发热量越小。 技术参数包含多个方面： 1. 使用条件指明了

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中华人民共和国国家标准

本标准规定了在15Hz〜300MHz的频率范围内测量电容率、介质损耗因数的方法,并 由此计算某些数值,如损耗指数。 本标准中所叙述的某些方法,也能用于其他频率下测量。

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JB-T 8957-1999 检验电容器损耗角正切测量精确度的方法 pdf

jb t 8957-1999 校验电容器损耗角正切测量精确度的方法 标准 星级： 6 页 jb_t 8957-1999 校验电容器损耗角正切测量精确度的方法 星级： 4 页 校验电容器损耗角正切测量精确度的方法 星级： 2 页 提高电容器d值测量精确度的方法 星级： 5 页 检验阻抗测量精确度的新方法 星级： 3 页 电极

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关于片状独石陶瓷电容器的 静电容量和介质损耗角正切的测量

首先,叙述影响静电容量和介质损耗角正切的片状独石陶瓷电容器的特性。随后,叙述实际 使用的lcr仪表及测量原理,最高后,举例说明片状独石陶瓷电容器的静电容量和介质损耗角 正切的精确的测量方法。 2．片状独石陶瓷电容器的特性

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薄膜电容器测试规范

容量和损耗角正切测量在25±2°C的条件下, 使用1±0.1KHz、1.0Vrms。 1 引脚直径≤0.5mm 者, 施加力≥ 0.5kg/10S;2 引脚直径>0.5 mm,≤0.8mm 者,施引出端强度( 拉力)加力≥1.0kg/10S;3 引脚直径>0.8 mm 者, 施加力≥ 2.0kg/20S。 抗弯强度:0.5 kg(5N)弯曲时间:对样品的一条引线施加指定引出端强度( 弯曲)的重量,先 向外弯折90°,再恢复到原位,接 着往反方向弯折90°,为一个循环, 共计2

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电容器损耗角

损耗角一般以1KHz作为测试标准。 对于容值小于1uF的MKT,MFP,MKP类电容还额外进行10KHz及100KHz频率处的损耗角测试。 仲裁测试定于20degC及50（＋/-2）％湿度。 从修正因子可知,同种规格薄膜电容漏电流在低温时会有增大趋势。 b)在中频段ESR值具有较平稳的曲线。 C)在高频段ESR值随频率的增大呈近似ESR＝f1/2关系的增大趋势。 薄膜电容的绝缘电阻Rins

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电容器损耗角

损耗角一般以1KHz作为测试标准。对于容值小于1uF的MKT,MFP,MKP类电容还额外进行10KHz及100KHz频率处的损耗角测试。 式中：tanδ—电容器的损耗角正切（％）； P—电容器的有功功率（W）； Q—电容器的无功功率（var）

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SJT 1147-1993 电容器用有机薄膜介质损耗角正切值和介电常数试验方法.pdf…

本标准规定了电容器用有机薄膜介质损耗角正切值和介电常数的试验方法。 据试样的电容值,厚度以及测量电极面积算出其介电常数。 质损耗角正切值误差应不大于1%tg+1×10-5;测试电容值时,误差应不大于士1%。 采用与SJ/T1146中3.1.1,1条规定的相同试样,每组试样不少于3个。 与ST/T1146中3.1.1.2.2条规定的电极相同。 D一一上电极直径。 值作为试验结果。

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电容器国家标准

a.对于精确度等级为1,0.5的电容器,由标准仪器、测试方法和测试条件所引起的总测量误差应不超过允许基本误差极限的十分之二,测试结果应符合本标准3.1条的规定。

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电容器用有机薄膜介质损耗角正切值和介电常数试验方法

sj_t 1147-1993 电容器用有机薄膜介质损耗角正切值和介电常数试验方法 星级 ... sj z 9009-1987 电子管极间电容的测试方法 标准 星级： 25 页 暂无目录 . . 点击鼠标右键菜单,创建目录

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