高压陶瓷电容器的陶瓷材料主要有两种类型：钛酸钡基和钛酸锶基。 钛酸钡基陶瓷材料具有介电常数高、交流耐压特性好的优点,但也有电容随介质温度升高、绝缘电阻减小等缺点。 钛酸锶晶体的居里温度为-250°C,常温下具有立方钙钛矿结构。在高
瓷介电容器又分 1 类电介质（NPO、CCG）；2 类电介质（X7R、2X1）和 3 类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。 2.特点. 1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。 最高大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。 2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高,容量大（最高大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗
介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类,即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器。npo、c0g属于Ⅰ类陶瓷,而其他的x7r、x5r、y5v、z5u等都属于Ⅱ类陶瓷。
瓷介电容器又分 1 类电介质（NPO、CCG）；2 类电介质（X7R、2X1）和 3 类电介质（Y5V、2F4）瓷介电容器。 2.特点. 1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。 最高大容量不超过1 000 pF,常用的有CC1、 CC2 、CC18A、CC11、CCG等系列。 2、3类瓷介电容器其特点是材料的介电系数高,容量大（最高大可达0.47 μF)、体积小 、 损耗
陶瓷电容它又分高频瓷介和低频瓷介两种。具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。 具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。
陶瓷电容按照封装不同可分为插件和贴片式！ 按照介质不同可分为I类瓷介电容和II类瓷介电容,通常NP0,SL0,COG是I类瓷介电容,X7R,X5R,Y5U,Y5V是II类瓷介电容, I类瓷介电容容量稳定性很好,基本不随温度,电压,时间等变化而变化,但是一般容量都很小,而II类瓷介电容容量稳定性很差,随着温度,电压,时间变化幅度较大,所以陶瓷电容一般用在
瓷介电容器又分 1 类电介质（npo、ccg ）；2 类电介质（x7r、2x1）和 3 类电介质（y5v、2f4）瓷介电容器。 2.特点. 1、 类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高等优点。最高大容量不超过1 000 pf,常用的有cc1、 cc2 、cc18a、cc11、ccg等系列。 2、3 类瓷
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