利用氢掺杂的非晶硅薄膜制作的太阳能电池薄膜存在一个致命的缺点——光致衰退效应。氢化非晶硅薄膜经较长时间的强光照射或电流通过时, 由于Si -H 键很弱(键能323), H 很容易失去, 形成大量的Si 悬挂键, 从而使薄膜的电学性能下降, 而且这种失H 行为还是一种
以硅材料为基体的硅光电池,可以使用单晶硅、多晶硅、非晶硅来制造。单晶硅光电池是目前应用最高广的一种,它有2cr和2dr两种类型,其中2cr型硅光电池采用n型单晶硅制造,2dr型硅光电池则采用p型单晶硅制造。
利用氢掺杂的非晶硅薄膜制作的太阳能电池薄膜存在一个致命的缺点——光致衰退效应。氢化非晶硅薄膜经较长时间的强光照射或电流通过时, 由于Si -H 键很弱(键能323), H 很容易失去, 形成大量的Si 悬挂键, 从而使薄膜的电学性能下降, 而且这种失H 行为还是一种
利用氢掺杂的非晶硅薄膜制作的太阳能电池薄膜存在一个致命的缺点——光致衰退效应。氢化非晶硅薄膜经较长时间的强光照射或电流通过时, 由于si -h 键很弱(键能323), h 很容易失去, 形成大量的si 悬挂键, 从而使薄膜的电学性能下降, 而且这种失h 行为
非晶硅太阳电池的工作原理是基于半导体的光伏效应。当太阳光照射到电池上时,电池吸收光能产生光生电子—空穴对,在电池内建电场Vb的作用下,光生电子和空穴被分离,空穴漂移到P边,电子漂移到N边,形成光生电动势VL, VL与内建电势Vb相反,当VL = Vb时
硅光电池的工作原理是光生伏特别有效应。当光照射在硅光电池的pn结区时,会在半导体中激发出光生电子空穴对.pn结两边的光生电子空穴对,在内电场的作用下,属于多数载流子的不能穿越阻挡层,而少数载流子却能穿越阻挡层。结果,p区的光生电子进入n区,n区
非晶硅薄膜太阳能电池是一种以非晶硅化合物为基本组成的薄膜太阳能电池。按照材料的不同,当前硅太阳能电池可分为三类：单晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池三种。
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