硅异质结(silicon heterojunction, SHJ)太阳电 池是高效(>20%)低成本的硅基器件. 硅异质结包 括晶硅(crystalline silicon, c-Si)和非晶硅(a-Si:H) 两种半导体, 其制备方法是通过化学气相沉积等技 术在c-Si衬底上沉积a-Si:H薄膜.
晶硅异质结电池是利用晶体硅基板和非晶体硅薄膜制成的太阳能电池,具有结构简单,稳定性高,温度特性好,能耗低等优点,是高效太阳能电池的热门研究方向之一.本文从理论研究的角度,对高效晶硅异质结电池技术取得的进展与未来发展可能进行论述,探讨晶硅异质
本文从理论研究的角度,对高效晶硅异质结电池技术取得的进展与未来发展可能进行论述,探讨晶硅异质结太阳能电池的基本原理、结构以及在电池薄片化上的优势,并简要分析拥有叉指式背接触结构的硅异质结太阳能电池,与钙钛矿电池技术结合的叠层电池,以及非掺杂异质结电池的研究现状。 维普中文期刊服务平台,是重庆维普资讯有限公司标准化产品之一,本平台以《中文科技期刊数
HJT电池,又称为异质结电池,是以N型单晶硅为基底,在前后表面分别沉积不同特性的硅基薄膜叠层和透明导电薄膜。 标准晶体硅太阳能电池是一种同质结电池,即PN结是在同一种半导体材料上形成的,而异质结电池的PN结采用不同的半导体材料构成。 日本三洋公司在1990年发明出HIT电池并申请为注册商标,因此 异质结电池 又被称为HJT（Heterojunction
摘要： 提升晶硅异质结（HJT）太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜（TCO）是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。 该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。 同时总结了薄膜特性对HJT太阳电池性能的影响。 最高后阐述了TCO薄膜应用的最高新进展及发展趋势,增加盖帽层或多层TCO薄膜有
HJT（Heterojunction with Intrinsic Thin-film） ——本征薄膜异质结电池。 具备对称双面电池结构,中间为N型晶体硅。 正面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜,从而形成P-N结。 背面则依次沉积本征非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜,以形成背表面场。 鉴于非晶硅的导电性比较差,因此在电池两侧沉积透明导电薄膜（TCO）进行导电,最高后采用丝网印刷技术形成
本文回顾了高效c-Si异质结太阳能电池从材料到器件的发展现状,主要包括基于氢化非晶硅（a-Si：H）的硅异质结技术,基于多晶硅（poly-Si）的载流子选择钝化接触技术 金属化合物和有机材料为基础的无掺杂钝化接触技术。还综述了硅异质结太阳能电池在超高效
近日,隆基绿能与江苏科技大学、澳大利亚科廷大学三方合作,在国际上首次制造出高柔韧性、高功率重量比的晶硅异质结太阳能电池,相关研究成果以"Flexible silicon solar cells with high power-to-weight ratios"为题发表在国际期刊《Nature》（自然）上。
隆基绿能科技股份有限公司（隆基）联合中山大学高平奇教授团队报道了转换效率高达26.81%的晶体硅异质结太阳电池,这是目前硅基光伏的世界最高高
近日,隆基绿能与江苏科技大学、澳大利亚科廷大学三方合作,在国际上首次制造出高柔韧性、高功率重量比的晶硅异质结太阳能电池,相关研究成果以"Flexible silicon solar cells with high power-to-weight ratios"为题发表在国际期刊《Nature》（自然）上。
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